Görsel mevcut değil
SKW30N60FKSA1
SKW30N60FKSA1 Hakkında
SKW30N60FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tekil transistördür. 41A sürekli collector akımı ve 112A pulslu akımı destekler. 250W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. NPT (Non Punch Through) teknolojisi ile tasarlanmış olan SKW30N60FKSA1, düşük VCE(on) değeri (2.4V @ 15V, 30A) ile enerji verimliliğini artırır. 400ns hızlı geri kurtarma süresi ve düşük switching enerjisi (1.29mJ) ile şalter modlu güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektrik sistemlerinde uygulanır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
112 A
Gate Charge
140 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
400 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Switching Energy
1.29mJ
Td (on/off) @ 25°C
44ns/291ns
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V