Görsel mevcut değil
SKW15N60FKSA1
SKW15N60FKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SKW15N60FKSA1, 600V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip NPT tipi IGBT transistördür. 31A maksimum kolektör akımı ve 139W güç disipasyonu kapasitesi ile yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 76nC gate charge ve 570µJ switching energy değerleri ile motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilmektedir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklıklarına dayanıklıdır. Düşük Vce(on) değeri (2.4V @ 15V, 15A) ısıl kaybı minimize eder. Part Status olarak Last Time Buy durumundadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
62 A
Gate Charge
76 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
139 W
Reverse Recovery Time (trr)
279 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Switching Energy
570µJ
Td (on/off) @ 25°C
32ns/234ns
Test Condition
400V, 15A, 21Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V