Görsel mevcut değil
SKM100GB12T4 1200V 100A IGBT Modül Hakkında
SKM100GB12T4 SEMITRANS® 2 IGBT Modül, 1200V gerilim dayanımı ve 100A nominal akım kapasitesi ile yüksek verimli inverter ve güç dönüştürücü uygulamaları için tasarlanmış 4. nesil fast trench IGBT4 modülüdür.
Infineon tabanlı IGBT4 ve CAL4 diyot teknolojisi sayesinde:
-
Düşük VCE(sat) (~2.05V @100A)
-
Yumuşak anahtarlama (soft switching)
-
Daha düşük switching kayıpları
-
20kHz’e kadar çalışma imkanı
sunmaktadır.
DBC (Direct Bonded Copper) izoleli bakır taban plakası sayesinde yüksek termal iletkenlik sağlar ve güç çevrim dayanımı artırılmıştır.
| Teknik Özellik | Değer |
|---|---|
| Model | SKM100GB12T4 |
| Üretici | SEMIKRON |
| Seri | SEMITRANS® 2 |
| IGBT Teknolojisi | IGBT4 Fast Trench (Infineon) |
| Collector-Emitter Gerilimi (VCES) | 1200 V |
| Nominal Akım (ICnom) | 100 A |
| Maksimum Sürekli Akım | 160 A (Tc=25°C) |
| Tepe Akım (ICRM) | 300 A |
| Gate-Emitter Gerilimi (VGES) | ±20 V |
| VCE(sat) | Typ. 2.05 V (@100A, 25°C) |
| Gate Threshold (VGEth) | 5.0 – 6.5 V |
| Toplam Gate Charge (Qg) | 565 nC |
| Switching Frekansı | ≤20 kHz önerilir |
| İzolasyon Dayanımı | 4000 V AC (1 dk) |
| Termal Direnç (Rth j-c) | 0.27 K/W (IGBT başına) |
| Ağırlık | 160 g |