Görsel mevcut değil
SKB15N60HSATMA1
SKB15N60HSATMA1 Hakkında
SKB15N60HSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 27A sürekli collector akımı ve 60A pulse akımı kapasitesiyle çalışır. Maksimum 138W güç dağıtım yeteneğine sahiptir. 80nC gate charge ve 111ns reverse recovery time özellikleriyle devrelerde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Vce(on) maksimum 3.15V (15V gate, 15A collector akımında) olup, power conversion, motor kontrol ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Ürün Obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
27 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
80 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
138 W
Reverse Recovery Time (trr)
111 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
530µJ
Td (on/off) @ 25°C
13ns/209ns
Test Condition
400V, 15A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V