Görsel mevcut değil
SKB15N60ATMA1
SKB15N60ATMA1 Hakkında
SKB15N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. NPT tipi yapısı ile tasarlanmış olan bu bileşen, maksimum 31A DC kollektör akımı ve 62A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, 139W maksimum güç dağıtımı yapabilmektedir. 76nC gate charge ve 279ns reverse recovery time değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu IGBT, güç elektronikleri, invertör devreleri, motor sürücüleri ve kontrol uygulamalarında tercih edilir. 2.4V @ 15V gate geriliminde açılış voltajı özellikleri ile düşük kayıplar sağlar. Ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
62 A
Gate Charge
76 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
139 W
Reverse Recovery Time (trr)
279 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
570µJ
Td (on/off) @ 25°C
32ns/234ns
Test Condition
400V, 15A, 21Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V