Görsel mevcut değil
SKB06N60HSATMA1
SKB06N60HSATMA1 Hakkında
SKB06N60HSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 12A sürekli collector akımı ve 24A pulsed akım kapasitesine sahiptir. Surface mount TO-263-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, inverter devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 33nC gate charge ve 190µJ switching energy ile düşük geçiş kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmekte ve maksimum 68W güç tüketebilmektedir. Td(on) 11ns ve Td(off) 196ns değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
33 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
68 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
190µJ
Td (on/off) @ 25°C
11ns/196ns
Test Condition
400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V