Görsel mevcut değil
SKB02N60E3266ATMA1
SKB02N60E3266ATMA1 Hakkında
SKB02N60E3266ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 6A sürekli kolektör akımı, 12A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30W güç yönetimi yapabilir. 14nC geçit yükü ve 130ns ters iyileşme zamanı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. Vce(on) değeri 2.4V @ 15V, 2A'dir. Not: Bu ürün kullanımdan kaldırılmıştır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
14 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
30 W
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
64µJ
Td (on/off) @ 25°C
20ns/259ns
Test Condition
400V, 2A, 118Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V