Görsel mevcut değil
SKB02N60ATMA1
SKB02N60ATMA1 Hakkında
SKB02N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V, 6A kapasiteli NPT tipi IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, switching uygulamalarında ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. Maksimum 30W güç dağıtabilir ve 30W güç sınırına sahiptir. Türkçe çeviri yapıldığında collector akımı maksimum 6A, pulse'da 12A'ye ulaşabilir. Gate charge değeri 14nC ve reverse recovery time 130ns'dir. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişir. VCE(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 2A collector akımında 2.4V'tur. Breakdown voltage 600V'dir. 20ns açılış ve 259ns kapanış süresi ile hızlı switching özellikleri barındırır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
14 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
30 W
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
64µJ
Td (on/off) @ 25°C
20ns/259ns
Test Condition
400V, 2A, 118Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V