Görsel mevcut değil
SIGC81T60SNCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC81T60SNCX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC81T60SNCX7SA1, 600V breakdown voltajına sahip NPT tipinde bir IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 100A collector akımı ve 300A pulse akımı ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 100A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. Açılış ve kapanış gecikmesi sırasıyla 65ns ve 450ns'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve switched mode power supplies (SMPS) gibi yüksek frekanslı anahtarlama gerektiren uygulamalarda kullanılabilir. Yüzey montaj teknolojisine uyumlu yapısı, kompakt ve yüksek yoğunluklu tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
65ns/450ns
Test Condition
400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V