Görsel mevcut değil
SIGC81T60SNCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC81T60SNCX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC81T60SNCX1SA1, NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter kırılma voltajı ve 100A maksimum kollektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Wafer format Die paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ve 65ns/450ns anahtarlama hızı ile verimli performans sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralığında kullanılmasına olanak tanır. Standard input tipi ile standart sürücü entegrelerle uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
65ns/450ns
Test Condition
400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V