Görsel mevcut değil
SIGC81T60NCX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC81T60NCX7SA2 Hakkında
SIGC81T60NCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitör diyot gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 100A maksimum kollektör akımı ve 300A pulsed akım kapasitesi ile güç dönüştürme devrelerinde çalışır. Die paket formunda temin edilen bu komponent, düşük 2.5V on-state gerilimi (Vce) ile enerji verimliliği sağlar. 95ns açılış ve 200ns kapanış geçiş süreleri ile hızlı anahtarlama özelliği vardır. Sürücü devreleri, invertörler, konvertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Komponentin üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
95ns/200ns
Test Condition
300V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V