Görsel mevcut değil
SIGC81T60NCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC81T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC81T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu tekil chip, maksimum 100A collector akımı ve 300A pulse akımı ile çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 100A akımda 2.5V olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalıştırılabilen bu bileşen, hızlı anahtarlama performansı sunan 95ns açılış ve 200ns kapanış sürelerine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücülerde kullanım için tasarlanmıştır. Ürün üretimi sonlandırılmış olup, mevcut stoklar için kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
95ns/200ns
Test Condition
300V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V