Görsel mevcut değil
SIGC81T60NCX1SA5
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC81T60NCX1SA5 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC81T60NCX1SA5, 600V kolektör-emitter diyot gerilimi ile tasarlanmış NPT tipi bir IGBT transistördür. Die paketi olarak sunulan bu bileşen, maksimum 100A sabit ve 300A darbe kolektör akımını destekler. 2.5V'luk Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve endüstriyel invertörler gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 95ns/200ns turn-on/turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Teknik veriler 300V, 100A, 2.2Ohm yük ve 15V gate geriliminde ölçülmüştür. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
95ns/200ns
Test Condition
300V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V