Görsel mevcut değil
SIGC81T60NCX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC81T60NCX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC81T60NCX1SA3, 600V breakdown voltajında çalışan NPT tipi IGBT transistördür. 100A maksimum collector akımı ve 300A pulsed collector akımı kapasitesiyle yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die formunda sunulan bu bileşen, endüstriyel konvertörler, motor sürücüler ve güç elektronik sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler. Obsolete durumdaki bu komponentin yerine güncel alternatiflerin kullanılması önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
95ns/200ns
Test Condition
300V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V