Görsel mevcut değil
SIGC76T65R3EX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
SIGC76T65R3EX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC76T65R3EX1SA1, Trench Field Stop teknolojisine dayanan yüksek akım kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çipdir. 650V durdurma gerilimi ve 150A sürekli kolektör akımı ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 450A darbe akımını kaldırabilir. 1.2V'luk düşük açılış gerilimi (Vce(on)) ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 175°C) sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışır. Die (çip) formunda sunulan bu transistör, inverterler, şarj sistemleri ve endüstriyel güç kontrol devrelerinde kullanılır. Standard input tipi girişe sahip olan SIGC76T65R3EX1SA1, yüksek frekans anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
450 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.2V @ 15V, 45A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V