Görsel mevcut değil
SIGC76T60R3EX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC76T60R3EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC76T60R3EX7SA1, Trench Field Stop teknolojisini kullanan yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 600V collector-emitter aralığında çalışabilen bu komponent, 150A nominal ve 450A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 1.9V Vce(on) değeri ile -40°C ile 175°C arasında güvenilir işlem sağlar. Die (çip) formatında sunulan bu ürün, endüstriyel sürücü devreleri, güç dönüştürücüleri, inverterler ve motor kontrolü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Standard giriş tipi ile kolay entegrasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
450 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V