Görsel mevcut değil
SIGC76T60R3EX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
SIGC76T60R3EX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC76T60R3EX1SA1, Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çipdir. 600V durdurma voltajına ve maksimum 150A sürekli akım kapasitesine sahip bu komponent, 450A'ya kadar pulse akımı işleyebilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 1.9V ile düşük iletim kayıpları sağlar. Die formunda sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında, endüstriyel motor kontrol devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. Standard input tipi ile entegrasyon kolaylığı sunmakta olup, Active durumdadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
450 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V