Görsel mevcut değil
SIGC61T60NCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC61T60NCX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC61T60NCX7SA1, 600V 75A kapasitesiyle tasarlanmış NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 225A darbe akımı (Icm) ile yüksek akım işleme kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 75A kollektör akımında 2.5V olarak belirtilmiştir. 65ns açılış ve 170ns kapanış gecikmesi (300V, 75A, 3Ohm test koşullarında) ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 150°C (TJ) çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. Güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devreleri, inverter tasarımları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılmaya uygundur. Dikkat: Bu komponent artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
65ns/170ns
Test Condition
300V, 75A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V