Görsel mevcut değil
SIGC61T60NCX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC61T60NCX1SA3 Hakkında
SIGC61T60NCX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, maksimum 75A collector akımı ve 225A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V on-state voltajı ile düşük kayıplar sağlar. Sıcaklık aralığında -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Td(on/off) değerleri 65ns/170ns olarak belirtilmiştir. Güç elektronik uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygun bir bileşendir. Teknik tanısı: 300V, 75A, 3Ohm, 15V test koşullarında ölçülmüştür. Üretim sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
65ns/170ns
Test Condition
300V, 75A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V