Görsel mevcut değil
SIGC61T60NCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC61T60NCX1SA1 Hakkında
SIGC61T60NCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 75A kollektör akımı ve 225A pulslu akım kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 75A akımda maksimum 2.5V olarak belirtilmiştir. Giriş tipi standard olup, açılma ve kapanma zamanları sırasıyla 65ns ve 170ns'dir. Yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve motor sürücü sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Ürün mevcut durumu itibariyle obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
65ns/170ns
Test Condition
300V, 75A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V