Görsel mevcut değil
SIGC57T120R3LEX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 50A DIE
SIGC57T120R3LEX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC57T120R3LEX1SA3, 1200V/50A spesifikasyonuna sahip Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistörüdür. Die (kalıp) formunda sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 150A pulse collector akımı kapasitesi ve 2.1V (15V gate voltajında 50A'de) maksimum Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 1200V diyot-transistor break-down voltajı sayesinde endüstriyel invertörler, motor kontrol sistemleri, kaynak makinaları ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount uyumlu die paketi, yoğun entegrasyon gerektiren modern güç elektronik tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
9 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V