Görsel mevcut değil
SIGC54T60R3EX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 100A WAFER
SIGC54T60R3EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC54T60R3EX7SA1, 600V kırılma voltajına sahip Trench Field Stop teknolojili IGBT transistördür. 100A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. Pulse modunda 300A'ya kadar akım taşıyabilir. Vce(on) maksimum 1.85V @ 15V, 100A'da belirtilmiştir. Die paket formatında sunulan bu bileşen, enerji dönüştürme sistemleri, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığını destekler ve surface mount entegrasyonu için optimize edilmiştir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V