Görsel mevcut değil
SIGC54T60R3EX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 100A WAFER
- Aile / Seri
- SIGC54T60R3EX1SA2
SIGC54T60R3EX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC54T60R3EX1SA2, 600V 100A kapasiteli tekil IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, yüksek anahtarlama hızı ve düşük on-state gerilim özellikleri sunmaktadır. 1.85V Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Die (çip) formunda sunulan ürün, güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve UPS sistemleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışır. Darbe akımı 300A'ye kadar çıkabilir, bu da geçici yükleme koşullarında iyi bir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
