Görsel mevcut değil
SIGC54T60R3EX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 100A WAFER
SIGC54T60R3EX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC54T60R3EX1SA2, 600V 100A kapasiteli tekil IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, yüksek anahtarlama hızı ve düşük on-state gerilim özellikleri sunmaktadır. 1.85V Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Die (çip) formunda sunulan ürün, güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve UPS sistemleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışır. Darbe akımı 300A'ye kadar çıkabilir, bu da geçici yükleme koşullarında iyi bir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V