Görsel mevcut değil
SIGC42T60UNX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60UNX7SA2 Hakkında
SIGC42T60UNX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 50A maksimum kollektor akımı ile tasarlanmıştır. Pulslu modda 150A'a kadar çıkabilen akım kapasitesi bulunmaktadır. Maksimum VCE(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 3.15V olarak belirlenmiştir. Turn-on ve turn-off gecikmesi sırasıyla 48ns ve 350ns'dir. Die paket formatında sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Lütfen dikkat: Bu ürün tüketilmiş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
48ns/350ns
Test Condition
400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V