Görsel mevcut değil
SIGC42T60UNX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60UNX7SA1 Hakkında
SIGC42T60UNX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 3 çip yapılı NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 50A sürekli kollektör akımı ve 150A puls akımı kapasitesine sahiptir. Diyot geri kurtarma süresi ve switching karakteristikleri optimize edilmiştir. Die pakette sunulan bu bileşen, güç elektronikleri devreleri, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Parça güncel üretimde olmayıp stok ürünü olarak temin edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
48ns/350ns
Test Condition
400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V