Görsel mevcut değil
SIGC42T60UNX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60UNX1SA2 Hakkında
SIGC42T60UNX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Maksimum 50A sürekli kolektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Die paket formatında sunulan komponent, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 48ns aç ve 350ns kapat gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. 3.15V Vce(on) değeri ile enerji verimliliği sağlamaktadır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C) nedeniyle zorlu ortamlarda güvenilir performans gösterir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumda olup, mevcut stoklardan temin edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
48ns/350ns
Test Condition
400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V