Görsel mevcut değil
SIGC42T60UNX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60UNX1SA1 Hakkında
SIGC42T60UNX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitör ters yönlü kırılım voltajı ile tasarlanmıştır. 50A maksimum kolektör akımı ve 150A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Surface mount die paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. 400V/50A test koşullarında 3.15V Vce(on) değerine sahip olup, hızlı açılma (48ns) ve kapatma (350ns) özelliğini barındırır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Parça statüsü obsolete olup, eski tasarımlar veya arşiv amaçlı referans için mevcuttur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
48ns/350ns
Test Condition
400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V