Görsel mevcut değil
SIGC42T60SNCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC42T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emiter aralığında çalışabilen bu bileşen, maksimum 50A sürekli akım ve 150A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük konduktif kayıplar sunar. -55°C ile +150°C arasında sıcaklık ortamında kullanıma uygundur. 57ns açılış ve 380ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Die paketi halinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, elektrik kaynak cihazları ve endüstriyel sürücü sistemlerinde kullanılır. Bileşen artık üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
57ns/380ns
Test Condition
400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V