Görsel mevcut değil
SIGC42T60SNCX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60SNCX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC42T60SNCX1SA2, 600V kolektör-emitör breakdown voltajı ile çalışan NPT tipinde bir IGBT transistördür. 50A maksimum kolektör akımı (150A pulsed) kapasitesine sahip olan bu bileşen, surface mount die paket formatında sunulmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 50A akımda 2.5V'dur. Hızlı anahtarlama özellikleri (57ns on time, 380ns off time) ile güç elektroniği uygulamalarında, şu çalışma sıcaklığı aralığında kullanılmak üzere tasarlanmıştır: -55°C ile 150°C arasında. Endüstriyel kontrolcüler, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Ürün mevcut durumu itibariyle kullanımdan kaldırılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
57ns/380ns
Test Condition
400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V