Görsel mevcut değil
SIGC42T60SNCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60SNCX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC42T60SNCX1SA1, NPT tipi IGBT transistördür. 600V besleme voltajına kadar çalışabilen bu komponent, maksimum 50A DC kollektör akımı ve 150A darbeli akımda kullanılabilir. Die paketlemesinde sunulan bu tekil IGBT çipi, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 2.5V üzerinde düşük açma voltajı (Vce(on)) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. 57ns açılma ve 380ns kapanma gecikme sürelerine sahip olan komponent, hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel motor kontrolü, invertör devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılan yapı taşı olarak işlev görür. Not: Bu ürün üretim dışı konumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
57ns/380ns
Test Condition
400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V