Görsel mevcut değil
SIGC42T60NCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC42T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajında maksimum 50A DC akım ve 150A pulsed akım kapasitesi sunar. Surface Mount Die paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 43ns turn-on ve 130ns turn-off gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel konvertör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 2.5V'dur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
43ns/130ns
Test Condition
300V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V