Görsel mevcut değil
SIGC42T60NCX1SA6
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60NCX1SA6 Hakkında
SIGC42T60NCX1SA6, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. Surface Mount die paketi içinde 3 çipli yapıda tasarlanmıştır. 600V Vce(sat) derecelendirilmiş bu bileşen, maksimum 50A sürekli kolektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V maksimum doyum gerilimi (15V gate, 50A şartlarında) düşük kayıp uygulamalar için uygundur. Sıcaklık aralığı -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 43ns açılış ve 130ns kapanış gecikme süreleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun özelliktedir. Güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilen bir bileşendir. Dikkat: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
43ns/130ns
Test Condition
300V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V