Görsel mevcut değil
SIGC42T60NCX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC42T60NCX1SA3 Hakkında
SIGC42T60NCX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kesici-emitör gerilimi ve 50A maksimum kolektör akımına sahip olan bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan transistör, 43ns açılış ve 130ns kapanış gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve yenlenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir. Vce(on) parametresi 15V gate geriliminde 50A akımda 2.5V olarak belirlenmiştir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
43ns/130ns
Test Condition
300V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V