Görsel mevcut değil
SIGC39T60EX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 75A WAFER
SIGC39T60EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC39T60EX7SA1, Trench Field Stop teknolojisine dayanan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 75A nominal collector akımı ile tasarlanmıştır. Maksimum 225A pulse akımını destekler. 1.85V Vce(on) @ 15V, 75A ile düşük kondüksyon kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Die formu surface mount uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, invertörler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Standard input tipi ile kontrol devreleri ile entegrasyonu kolaydır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V