Görsel mevcut değil
SIGC28T65EX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V
SIGC28T65EX1SA1 Hakkında
SIGC28T65EX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench Field Stop teknolojisinde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. Die form olarak sunulan bu üç çipli transistör, 50A maksimum DC kolektör akımı ve 150A pulseli akım kapasitesine sahiptir. 1.77V tipik açık durumu voltajı (Vce(on)) ile enerji kaybını minimalize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanan bu IGBT, Standard giriş tipine sahiptir ve Surface Mount montajına uyumludur.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.77V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V