Görsel mevcut değil
SIGC28T60EX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V 50A WAFER
SIGC28T60EX7SA1 Hakkında
SIGC28T60EX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 50A kapasiteli tekil IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, maksimum 150A darbe akımını destekler. 1.85V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Die paketinde sunulan bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Yüksek voltaj ve akım işleme kapasitesi nedeniyle enerji yönetimi ve kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V