Görsel mevcut değil
SIGC25T60UNX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60UNX7SA2 Hakkında
SIGC25T60UNX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 30A maksimum collector akımı ve 90A pulse akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yer alabilir. 3.15V maksimum Vce(on) değeri ile iletim kayıpları sınırlıdır. Hızlı anahtarlama karakteristiği (16ns turn-on, 122ns turn-off) ile yüksek frekans uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında tasarlanmıştır. Parça obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
16ns/122ns
Test Condition
400V, 30A, 1.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V