Görsel mevcut değil
SIGC25T60UNX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60UNX7SA1 Hakkında
SIGC25T60UNX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30A kollektör akımı ve 90A pulse akımı ile çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 30A akımda 3.15V olarak belirlenmiştir. Düşük anahtarlama zamanları (16ns açılış, 122ns kapanış) ile hızlı komutasyon gerektiren uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
16ns/122ns
Test Condition
400V, 30A, 1.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V