Görsel mevcut değil
SIGC25T60UNX1SA3
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60UNX1SA3 Hakkında
SIGC25T60UNX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistörüdür. Surface mount die paketinde sunulan bu komponen, maksimum 30A kolektör akımı ve 90A puls akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V, 30A koşullarında 3.15V olarak belirlenmiştir. 16ns/122ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme yeteneği sayesinde geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. DC/AC güç dönüştürücüler, motor sürücüler, endüstriyel inverterler ve benzer yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. Ürün durumu obsolete (üretimi durdurulmuş) olup, mevcut stok limitlidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
16ns/122ns
Test Condition
400V, 30A, 1.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V