Görsel mevcut değil
SIGC25T60UNX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60UNX1SA2 Hakkında
SIGC25T60UNX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kolektör-emiter diyot geriliminde çalışan bu komponent, maksimum 30A kollektör akımı ve 90A pulsed akım kapasitesine sahiptir. Die paket formunda sunulan bu IGBT, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3.15V olup, açılış ve kapanış gecikmesi sırasıyla 16ns ve 122ns'dir. Inverter, motor sürücü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Ürün üretimi durdurulmuş olup (Obsolete), mevcut stoklardan temin edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
16ns/122ns
Test Condition
400V, 30A, 1.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V