Görsel mevcut değil
SIGC25T60UNX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60UNX1SA1 Hakkında
SIGC25T60UNX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ve maksimum 30A sürekli akım kapasitesi ile çalışan bu yarıiletken bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die paketinde sunulan bu IGBT, 16ns açılış ve 122ns kapanış süresi ile hızlı komutasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, güç dönüştürücü, motor sürücü devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Vce(on) değeri 15V gerilimde 30A akımda 3.15V olarak belirtilmiştir. Part obsolete konumunda olup, yedek veya alternatif bileşen önerilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
16ns/122ns
Test Condition
400V, 30A, 1.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V