Görsel mevcut değil
SIGC25T60SNCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC25T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ve 30A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 90A pulsed collector akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, inverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. Die paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 44ns açılış ve 324ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 15V gate voltajında 2.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Günümüzde üretimi durdurulmuş (Obsolete) olsa da arşiv ve bakım uygulamalarında temin edilebilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
44ns/324ns
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V