Görsel mevcut değil
SIGC25T60SNCX1SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60SNCX1SA2 Hakkında
SIGC25T60SNCX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 30A nominal ve 90A pulse collector akımı kapasitesi ile güç anahtarlama devrelerinde çalışır. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Die paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel invertörler, motor kontrolü ve güç dönüştürme sistemlerinde uygulanır. Td(on) 44ns ve Td(off) 324ns ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
44ns/324ns
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V