Görsel mevcut değil
SIGC25T60SNCX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60SNCX1SA1 Hakkında
SIGC25T60SNCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Maksimum 30A DC collector akımı ve 90A pulsed akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, ön uç endüstriyel uygulamalarda ve güç elektronikleri devrelerinde anahtarlama işlemleri için kullanılmaktadır. 2.5V @ 15V, 30A'de VCE(on) değeri ve 44ns açılış / 324ns kapatılış süresi ile hızlı komütasyon özellikleri sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. Inverter, motor kontrol ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılabilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
44ns/324ns
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V