Görsel mevcut değil
SIGC25T60NCX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60NCX7SA2 Hakkında
SIGC25T60NCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bu bileşen, maksimum 30A sürekli ve 90A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Die paket formatında sunulan bu IGBT, güç dönüştürme devreleri, inverterler, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Td(on) 21ns ve Td(off) 110ns ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Vce(on) maksimum 2.5V değeri ile düşük açılma gerilimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 30A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V