Görsel mevcut değil
SIGC25T60NCX7SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC25T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 30A collector akımı ile tasarlanmıştır. Surface mount die paket formatında sunulan bu bileşen, pulse akımında 90A kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajda 30A akımda maksimum 2.5V'tur. 21ns açılış ve 110ns kapanış süreleri ile (25°C'de ölçülen) yüksek hız anahtarlaması sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan bu IGBT, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılan bir elektronik bileşendir. Ürün şu an üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 30A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V