Görsel mevcut değil
SIGC25T60NCX1SA7
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60NCX1SA7 Hakkında
SIGC25T60NCX1SA7, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V desen voltajı ile maksimum 30A kolektör akımı sağlayan bu bileşen, 90A pulse akımına kadar desteklemektedir. Die paket tipinde sunulan komponent, yüzey montajı uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 2.5V açık durumda (Vce(on)) gerilim değerine sahip olan transistör, güç dönüştürücü, motor sürücü ve ters çevirici uygulamalarında tercih edilir. Td(on) 21ns ve Td(off) 110ns değerleri ile hızlı komutasyon özelliğine sahiptir. Obsolete durumda olan bu ürün, arşiv uygulamaları ve bakım-onarım amaçlı ihtiyaçlarda bulunabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 30A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V