Görsel mevcut değil
SIGC25T60NCX1SA6
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60NCX1SA6 Hakkında
SIGC25T60NCX1SA6, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ile güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak çalışır. 30A nominal kollektör akımı ve 90A pulslu akım kapasitesi ile orta güç devrelerinde kullanılmaya uygundur. Die paket formatında sunulan bu komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 21ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama gerçekleştirir. Eski üretim (obsolete) olduğundan yeni tasarımlarda yerine geçen alternatif bileşenler tercih edilmektedir. Endüstri, enerji dönüşümü ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılagelmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 30A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V