Görsel mevcut değil
SIGC25T60NCX1SA5
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60NCX1SA5 Hakkında
SIGC25T60NCX1SA5, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V kollektör-emiter kırılma gerilimi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. Maksimum 30A sabit akım ve 90A darbeli akım kapasitesine sahiptir. 21ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Die paketleme türü ile wafer seviyesinde entegrasyon için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Endüstriyel kontrol, güç dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılan yüksek voltaj anahtar bileşenidir. Ürün durumu itibariyle üretimi sona ermiş olup, stok sorgulaması önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 30A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V