Görsel mevcut değil
SIGC25T60NCX1SA4
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC25T60NCX1SA4 Hakkında
SIGC25T60NCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT (Non-Punch Through) IGBT transistördür. Bu bileşen üç çip yapısı içeren wafer formunda sunulmakta olup, maksimum 30A sürekli collector akımı ve 90A pulse akımı sağlayabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 30A akımda 2.5V olup, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 21ns/110ns'dir. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu IGBT, standart input tipi ve surface mount montajına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığını desteklemektedir. Güç dönüştürme, motor sürücü ve enerji yönetim sistemleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
21ns/110ns
Test Condition
300V, 30A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V